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Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE)

Le Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE) est une entité de R&D sous tutelle du Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique et de la Direction Générale de la Recherche et du Développement Technologique (DGRSDT).

Créé par Décret exécutif N°12-316 du 21 Août 2012 et ce, dans le prolongement des entités suivantes : Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS, arrêté du 24 Janvier 1988- UDTS-CDTA 1988-2012), Laboratoire des Matériaux Solaires (LMS-Centre de Développement des Matériaux 1984-1988) de l’ex. Commissariat aux Energies Nouvelles (CEN) évoluant ensuite en Haut-Commissariat à la Recherche), Laboratoire des Cristaux et Couches Minces (LCCM-Centre des Sciences et de la Technologie Nucléaire 1972-1984) et Laboratoire de Physique de IEN (1962-1972).

Division CCPM

ccpm

Division CCPM

En amont et pour compléter les segments déjà existants au CRTSE, la Division ‘Traitement de la matière première et cristallogenèse’ a été proposée avec pour objectifs

Division DDCS

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Division DDCS

Les missions de la Division Développement des Dispositifs de Conversion à Semiconducteurs portent sur l’étude, la conception, la réalisation et le développement

Division CMSI

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Division CMSI

La mission de la division Couches Minces Surface et Interface CMSI est de promouvoir une recherche et un développement pluridisciplinaires

Division TESE

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Division TESE

La mission de la division Couches Minces Surface et Interface CMSI est de promouvoir une recherche et un développement pluridisciplinaires associant

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ERA 2017

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COMMUNIQUE DE PRESSE

Annonce Journées Portes Ouvertes sur la Recherche Appliquée

  • Posted by admin
  • On 23 octobre 2016

أبواب مفتوحة على البحث التطبيقي

  • Posted by admin
  • On 23 octobre 2016

Journées portes Ouvertes sur la recherche appliquée

  • Posted by admin
  • On 23 octobre 2016

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